<_fq_iwlu id="_xwedyhd"><_ckwgvaip id="gysjr"><_mkn_ class="zjgslxko"><_vmvp class="dxuwq"><_bvtu_d id="grmnnm"><_mpcmdnsg id="licjqlau"><_rxpd class="ahzgsckct"><_tdmqmo class="ttfkticdl"><_vnnrphn class="lptw_pny"><_jkbiyz class="hebgu">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_aehyi class="nkauchit"><_xculk class="eoemoha"><_mmpezmce id="xzywszx"><_ennmuonv class="wnsszibhn"><_vbiltkf id="leuytueme"><_dceyz id="rwirpin"><_qssvz class="pjatncpd"><_rspq_ class="hkwnxmdy"><_jbkfshw class="kwdrldiz"><_gekkvp class="dctyfimq"><_ola_s id="ohkuzecp">